LCR-метр цифровой CEM DT-9935
Код товара: 33586
Гарантия 12 месяцев
О товаре Спящий режим
Диапазон сопротивления: 20 Ом - 200 МОм
Диапазон емкости: 200 пФ - 2000 мкФ
Диапазон индуктивности: 2000 мкГн - 20 кГн
21 674 руб.
21 674 руб.
включая НДС
НДС 5%:
НДС 20%:
включено в стоимость
по запросу
В наличии:
Склад в Москве: 0 шт.(под заказ 0-7 дней)
Доставка
Транспортной компанией по РФ и СНГ
Курьером по Москве
Самовывоз из магазина
Оплата
Для юрлиц – переводом на расчётный счёт
Для физлиц – банковской картой онлайн, наложенным платежом и наличными
Для
бизнеса
Аккредитованы на ЭТП
Участвуем в госзакупках по 223-ФЗ и 44-ФЗ
Оказываем помощь в разработке ТЗ
О товаре Спящий режим
Диапазон сопротивления: 20 Ом - 200 МОм
Диапазон емкости: 200 пФ - 2000 мкФ
Диапазон индуктивности: 2000 мкГн - 20 кГн
Технические характеристики CEM DT-9935
| Индуктивность при Ta = 18 - 28 °C (De), частота = 100 / 120 Гц |
20 мГн: разрешение 1 мкГн, точность ±(1,5 % + 10), DF: ±(1,5 % + 50), режим измерения: последовательно 200 мГн: разрешение 0,01 мГн, точность ±(1,4 % + 15), DF: ±(1,4 % + 50), режим измерения: последовательно 2000 мГн: разрешение 0,1 мГн, точность ±(1,5 % + 15), DF: ±(1,5 % + 50), режим измерения: последовательно 20 Гн: разрешение 1 мГн, точность ±(1,6 % + 10), DF: ±(1,6 % + 50) 200 Гн: разрешение 0,01 Гн, точность ±(1,3 % + 10), DF: ±(1,3 % + 50), режим измерения: параллельно 2000 Гн: разрешение 0,1 Гн, точность ±(2 % + 15), DF: ±(2 % + 50), режим измерения: параллельно 20 кГн: разрешение 0,001 Гн, точность ±(2,5 % + 15), DF: ±(2,5 % + 50), режим измерения: параллельно |
| Индуктивность при Ta = 18 - 28 °C (De), частота = 1 кГц |
2000 мкГн: разрешение 0,1 мГн, точность ±(1,3 % + 10), DF: ±(1,3 % + 50), режим измерения: последовательно 20 мГн: разрешение 1 мкГн, точность ±(1,2 % + 10), DF: ±(1,2 % + 50), режим измерения: последовательно 200 мГн: разрешение 0,01 мГн, точность ±(1,2 % + 10), DF: ±(1,2 % + 50), режим измерения: последовательно 2000 мГн: разрешение 0,1 мГн, точность ±(1,5 % + 15), DF: ±(1,5 % + 50) 20 Гн: разрешение 0,1 мГн, точность ±(1,5 % + 15), DF: ±(1,5 % + 50), режим измерения: параллельно 200 Гн: разрешение 0,01 Гн, точность ±(2 % + 10), DF: ±(2 % + 50), режим измерения: параллельно 2000 Гн: разрешение 0,1 Гн, точность ±(2,5 % + 15), DF: ±(2,5 % + 50), режим измерения: параллельно |
| Индуктивность при Ta = 18 - 28 °C (De), частота = 10 кГц |
200 мкГн: разрешение 0,01 мкГн, точность ±(1,8 % + 10), DF: ±(1,8 % + 50), режим измерения: последовательно 2000 мкГн: разрешение 0,1 мкГн, точность ±(1,5 % + 10), DF: ±(1,5 % + 50), режим измерения: последовательно 20 мГн: разрешение 1 мкГн, точность ±(1,2 % + 10), DF: ±(1,2 % + 50), режим измерения: последовательно 200 мГн: разрешение 0,01 мГн, точность ±(1,5 % + 15), DF: ±(1,5 % + 50) 2000 мГн: разрешение 0,1 Гн, точность ±(2 % + 10), DF: ±(2 % + 50), режим измерения: параллельно 20 Гн: разрешение 1 мГн, точность ±(2,5 % + 15), DF: ±(2,5 % + 50), режим измерения: параллельно |
| Индуктивность при Ta = 18 - 28 °C (De), частота = 100 кГц |
20 мкГн: разрешение 0,001 мкГн, точность ±(2,5 % + 10), DF: ±(2,5 % + 50), режим измерения: последовательно 200 мкГн: разрешение 0,01 мкГн, точность ±(1,5 % + 10), DF: ±(1,5 % + 50), режим измерения: последовательно 2000 мкГн: разрешение 0,1 мкГн, точность ±(1,3 % + 15), DF: ±(1,3 % + 50), режим измерения: последовательно 20 мГн: разрешение 1 мкГн, точность ±(2 % + 15), DF: ±(2 % + 50), режим измерения: параллельно 200 мГн: разрешение 0,01 Гн, точность ±(2,5 % + 15), DF: ±(2,5 % + 50), режим измерения: параллельно |
| Ёмкость при Ta = 18 - 28 °C (De), частота = 100 Гц / 120 Гц |
20 нФ: разрешение 1 пФ, точность ±(2,5 % + 10), DF: ±(2,5 % + 50), режим измерения: параллельно 200 нФ: разрешение 0,01 нФ, точность ±(1,2 % + 10), DF: ±(1,2 % + 50) 2000 ннФ: разрешение 0,1 нФ, точность ±(0,9 % + 10), DF: ±(0,9 % + 50) 20 мкФ: разрешение 1 нФ, точность ±(1 % + 15), DF: ±(1 % + 50), режим измерения: последовательно 200 мкФ: разрешение 0,01 мкФ, точность ±(1,2 % + 10), DF: ±(1,2 % + 50), режим измерения: последовательно 2000 мкФ: разрешение 0,1 мкФ, точность ±(2,5 % + 10), DF: ±(2,5 % + 50), режим измерения: последовательно 20 мФ: разрешение 0,01 мФ, точность ±(5 % + 10), DF: ±(5 % + 50), режим измерения: последовательно |
| Ёмкость при Ta = 18 - 28 °C (De), частота = 1 кГц |
2000 пФ: разрешение 0,1 пФ, точность ±(3,5 % + 15), DF: ±(3,5 % + 50), режим измерения: параллельно 20 нФ: разрешение 1 пФ, точность ±(1 % + 10), DF: ±(1 % + 50) 200 нФ: разрешение 0,01 нФ, точность ±(0,9 % + 10), DF: ±(0,9 % + 50) 2000 нФ: разрешение 0,1 нФ, точность ±(1 % + 10), DF: ±(1,2 % + 50), режим измерения: последовательно 20 мкФ: разрешение 1 нФ, точность ±(1,2 % + 15), DF: ±(2,5 % + 50), режим измерения: последовательно 200 мкФ: разрешение 0,01 мкФ, точность ±(2,5 % + 10), DF: ±(2,5 % + 50), режим измерения: последовательно 2000 мкФ: разрешение 1 мкФ, точность ±(4 % + 20), DF: ±(4 % + 50), режим измерения: последовательно |
| Ёмкость при Ta = 18 - 28 °C (De), частота = 10 кГц |
200 пФ: разрешение 0,01 пФ, точность ±(3 % + 8), DF: ±(3 % + 50), режим измерения: параллельно 2000 пФ: разрешение 0,1 пФ, точность ±(1 % + 10), DF: ±(1 % + 50) 20 нФ: разрешение 1 пФ, точность ±(0,9 % + 10), DF: ±(0,9 % + 50) 200 нФ: разрешение 0,01 нФ, точность ±(0,8 % + 10), DF: ±(0,8 % + 50), режим измерения: последовательно 2000 нФ: разрешение 0,1 нФ, точность ±(1 % + 8), DF: ±(1 % + 50), режим измерения: последовательно 20 мкФ: разрешение 1 нФ, точность ±(2 % + 8), DF: ±(2 % + 50), режим измерения: последовательно 200 мкФ: разрешение 0,1 мкФ, точность ±(4,5 % + 15), DF: ±(4,5 % + 50), режим измерения: последовательно |
| Ёмкость при Ta=18 - 28 °C (De), частота = 100 кГц |
200 пФ: разрешение 0,01 пФ, точность ±(2,5 % + 15), DF: ±(2,5 % + 50), режим измерения: параллельно 2000 пФ: разрешение 0,1 пФ, точность ±(1 % + 8), DF: ±(1 % + 50), режим измерения: параллельно 20 нФ: разрешение 1 пФ, точность ±(1,8 % + 8), DF: ±(1,8 % + 50) 200 нФ: разрешение 0,01 нФ, точность ±(1,5 % + 10), DF: ±(1,5 % + 50), режим измерения: последовательно 2000 нФ: разрешение 0,1 нФ, точность ±(2,5 % + 15), DF: ±(2,5 % + 50), режим измерения: последовательно |
| Сопротивление при Ta=18-28 °C (De), частота 100 / 120 Гц |
200 Ом: разрешение 0,01 Ом, точность 1,2 % ± 10 2 кОм: разрешение 0,1 Ом, точность 0,8 % ± 5 20 кОм: разрешение 1 Ом, точность 0,9 % ± 5 200 кОм: разрешение 0,01 кОм, точность 0,7 % ± 3 2 МОм: разрешение 0,1 кОм, точность 1 % ± 5 20 МОм: разрешение 1 кОм, точность 2,2 % ± 10 200 МОм: разрешение 0,1 МОм, точность 2,5 % ± 10 |
| Сопротивление при Ta = 18 - 28 °C (De), частота 1 кГц |
20 Ом: разрешение 1 мкОм, точность 1,2 % ± 10 200 Ом: разрешение 0,01 Ом, точность 0,8 % ± 5 2 кОм: разрешение 0,1 Ом, точность 0,8 % ± 3 20 кОм: разрешение 1 Ом, точность 0,7 % ± 3 200 кОм: разрешение 0,01 кОм, точность 1 % ± 5 2 МОм: разрешение 0,1 кОм, точность 1,5 % ± 10 20 МОм: разрешение 1 кОм, точность 1,8 % ± 10 200 МОм: разрешение 0,1 МОм, точность 6 % ± 50 |
| Сопротивление при Ta = 18 - 28 °C (De), частота 10 кГц |
20 Ом: разрешение 1 мкОм, точность 1,5 % ± 10 200 Ом: разрешение 0,01 Ом, точность 0,8 % ± 10 2 кОм: разрешение 0,1 Ом, точность 0,9 % ± 5 20 кОм: разрешение 1 Ом, точность 0,8 % ± 3 200 кОм: разрешение 0,01 кОм, точность 1 % ± 5 2 МОм: разрешение 0,1 кОм, точность 2,5 % ± 10 20 МОм: разрешение 0,01 МОм, точность 2,8 % ± 10 |
| Сопротивление при Ta = 18 - 28 °C (De), частота 100 кГц |
20 Ом: разрешение 1 мкОм, точность 2,3 % ± 10 200 Ом: разрешение 0,01 мОм, точность 1,5 % ± 5 2 кОм: разрешение 0,1 Ом, точность 0,8 % ± 20 20 кОм: разрешение 1 Ом, точность 0,8 % ± 20 200 кОм: разрешение 0,01 кОм, точность 1,5 % ± 10 2 МОм: разрешение 1 кОм, точность 2,5 % ± 30 |
| Сопротивление при постоянном токе Ta = 18 - 28 °C (De), частота 100 Гц / 120 Гц / 1 кГц / 10 кГц / 100 кГц |
200 Ом: разрешение ±0,01 Ом, точность 1,8 % ± 10 2 кОм: разрешение ±0,10 Ом, точность 0,6 % ± 20 20 кОм: разрешение ±1 Ом, точность 0,5 % ± 10 200 кОм: разрешение ±0,01 кОм, точность 0,5 % ± 3 2 МОм: разрешение ±0,1 кОм, точность 1,5 % ± 5 20 МОм: разрешение ±1 кОм, точность 2 % ± 5 200 МОм: разрешение ±0,1 МОм, точность 2,5 % ± 5 |
| Точность D Та = 18 - 28 °С (De) |
100 / 120 Гц: 0,1 - 10 Ом: ±0,03 1 - 100 Ом: ±0,01 10 - 100 кОм: ±0,01 100 кОм - 1 МОм: ±0,01 1 МОм - 20 МОм: ±0,02 20 - 200 МОм: ±0,04 1 кГц: 0,1 - 10 Ом: ±0,03 1 - 100 Ом: ±0,01 10 - 100 кОм: ±0,009 100 кОм - 1 МОм: ±0,009 1 МОм - 20 МОм: ±0,02 20 - 200 МОм: ±0,04 10 кГц: 0,1 - 10 Ом: ±0,03 1 - 100 Ом: ±0,01 10 - 100 кОм: ±0,009 100 кОм - 1 МОм: ±0,009 1 МОм - 20 МОм: ±0,02 20 - 200 МОм: ±0,04 100 кГц: 0,1 - 10 Ом: ±0,04 1 - 100 Ом: ±0,01 10 - 100 кОм: ±0,01 100 кОм - 1 МОм: ±0,01 1 МОм - 20 МОм: ±0,02 20 - 200 МОм: ±0,04 |
| Угловая точность D Та = 18 - 28 °С (De) |
100 / 120 Гц: 0,1 - 10 Ом: ±0,65° 1 - 100 Ом: ±0,36° 10 - 100 кОм: ±0,23° 100 кОм - 1 МОм: ±0,45° 1 МОм - 20 МОм: ±0,65° 20 - 200 МОм: ±1,35° 1 кГц: 0,1 - 10 Ом: ±0,65° 1 - 100 Ом: ±0,36° 10 - 100 кОм: ±0,23° 100 кОм - 1 МОм: ±0,45° 1 МОм - 20 МОм: ±0,65° 20 - 200 МОм: ±1,35° 10 кГц: 0,1 - 10 Ом: ±0,65° 1 - 100 Ом: ±0,36° 10 - 100 кОм: ±0,23° 100 кОм - 1 МОм: ±0,45° 1 МОм - 20 МОм: ±1,35° 100 кГц: 0,1 - 10 Ом: ±1,27° 1 - 100 Ом: ±0,65° 10 - 100 кОм: ±0,49° 100 кОм - 1 МОм: ±0,65° 1 МОм - 20 МОм: ±1,35° 20 - 200 МОм: ±1,35° |
| Дополнительные функции | |
| Индикатор низкого заряда батареи | есть |
| Звуковая индикация | есть |
| Функция вывода максимального значения MAX | есть |
| Функция вывода минимального значения MIN | есть |
| Удержание показаний Data Hold | есть |
| Автоматические выключение | 5 мин |
| Спящий режим | есть |
| Подсветка | есть |
| Общие характеристики | |
| Дисплей | двойной ЖК-экран |
| Питание | 6 батарей 1,5 В "AA" |
| Габариты | 220 х 96 х 60 мм |
| Вес | 360 г |
| Комплектация |
LCR-метр CEM DT-9935 - 1 шт батарея 1,5 В типа "AA" - 6 шт тестовый щуп - 3 шт насадка типа "Крокодил" - 3 шт насадка кабель - 1 шт руководство пользователя - 1 шт |
Технические характеристики, внешний вид и комплектация товара могут быть изменены производителем без предварительного уведомления.
Благодарственные письма
Посмотреть все
Получить коммерческое предложение
Сотрудничаем с коммерческими организациями и государственными бюджетными учреждениями.
Работаем по прямому договору и участвуем во всех видах конкурентных процедур в рамках 44-ФЗ и
223-ФЗ. Оказываем помощь в составлении технического задания на оборудование.
Заполните форму и получите всю нужную информацию о выбранном оборудовании в виде коммерческого предложения:
- актуальные цены и сроки поставки;
- информация о скидке;
- наличие на наших складах.
